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網站首頁  ◇  產品展示    ◇   ◇   石墨烯薄膜制備設備 > LFT1400C 800D802ZZnO納米材料生長
ZnO納米材料生長

更新時間:  2026-01-16

產品型號:  LFT1400C 800D802Z

產品報價:  

所  在  地:  合肥市新站區穎河路22號

產品特點:  ZnO納米材料生長設備,由氣體流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統,紅外烘干系統組成。

(聯系我時,請說明是在化工儀器網上看到的信息,謝謝?。?/div>
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產品概述

一、設備特點

 碳納米膜制備設備由氣體質量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統,紅外烘干系統等組成。生長爐的最高溫度1400℃,并可在0-1400℃之間連續可調,垂直式分布熱場,三點控溫(三段長度平均分配),設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統,保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,加熱元件為優質硅碳棒。測溫采用適用于高溫環境的“S”型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現連續生長不間斷的特點。

二、技術參數

型號

LFT1400C 800D802Z

額定功率

20KW(參考)

額定電壓

AC220V 50/60HZ

最高溫度

1400℃

額定溫度

1300℃

推薦升溫速率

200℃以下≤5℃/min,200-1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min

爐管尺寸

(可根據客戶要求訂制)

Φ80× 1400mm(剛玉管)

控溫精度

±1℃

極限真空度(選件)

1.0×10-3Pa(機械泵+分子泵)

加熱元件

硅碳棒

重量

230KG(參考)

 

 

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